Вот некоторые интересные идеи, которые можно использовать для настройки параметра activate to precharge delay tras: Использовать программу для автоматического подбора оптимальных значений параметров памяти. Min RAS Active Time or tRAS: This is the amount of time between a row being activated by precharge and deactivated. A row cannot be deactivated until the tras limit is reached. For optimal stability, you must keep the tRAS = CL + tRCD+tRP (+/-2).
Технология и принцип работы
- Характеристики оперативной памяти
- Dram timing mode — что это?
- Принцип работы в режиме Standby
- Тайминги оперативной памяти и почему они так важны
- Что такое активирование задержки предварительной подзарядки tras?
- Что такое тайминги? Ускоряем память или меньше не значит лучше Что такое command rate 1t или 2t.
Содержание
- Общие характеристики
- Важность активации
- Что такое тайминги? Ускоряем память или меньше не значит лучше Что такое command rate 1t или 2t.
- Определение и сущность режима задержек памяти
Обзор и тестирование оперативной памяти Kingston HyperX Fury DDR3L-1600 HX316LC10FB/4 x2
Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. время, которое требуется на накопление заряда для осуществления операции по закрытию строки банка. 4 основных тайминга ОЗУ представлены следующим образом – Изображение: Tipsmake. Основные сроки. В любом списке продуктов или на фактической упаковке время указано в формате tCL-tRCD-tRP-tRAS, что соответствует 4 основным временам. задержка между RAS и CAS; RAS Precharge (tRP) - задержка между обработками строк; Active to Precharge Delay (tRAS) - задержка между активацией и началом обработки; Это - первичные тайминги. одна планка Crucial CT51264BA160B Со следующими характеристиками: DDR3 4 гб 1600 МГц PC12800 Тайминги: CAS Latency (CL) - 11 RAS to CAS Delay (tRCD) - 11 Row Precharge Delay (tRP) - 11 Activate to Precharge Delay (tRAS) - 30 Напряжение 1.5В. Значение tRAS может быть установлено в BIOS системы и зависит от конкретной платы и модуля памяти.
Вторая планка памяти
Связан такой шаг, в первую очередь, с возможностью их работы с процессорами Intel Core шестого поколения — Skylake. Как мы знаем, контроллер памяти этих процессоров совместим с DDR3, но при этом рекомендуется использовать память именно с низким напряжением питания. Но мы не думаем, что при сборке нового компьютера на основе процессора поддерживающего DDR4, будет целесообразно покупать память устаревшего стандарта. А вот для энтузиастов оверклокинга память с пониженным напряжением отличный подарок. При повышении напряжения до безопасных 1,5 В, такая память должна показывать хорошие результаты в разгоне. Более подробную техническую спецификацию можно посмотреть програмно. Поможет в этом утилита Thaiphoon Burner. Данная программа может работать с областью SPD модуля памяти, считывает все параметры и выводит подробный отчет. Здесь мы видим таблицу режимов таймингов, которые выставляются автоматически - это функция Plug and Play. Имеется и один профиль Intel XMP.
Объём модуля памяти Объём оперативной памяти, на ряду с характеристиками прочих комплектующих ПК, непосредственно влияет на производительность системы в целом. Чем выше тактовая частота, тем лучше. Обязательно стоит учитывать характеристики процессора, который должен поддерживать соответствующую тактовую частоту ОЗУ. Обязательно стоит учитывать режим работы — одно- или двухканальный. Если процессор способен работать с максимальной частотой определённого типа памяти в одноканальном режиме, он может не поддерживать данную частоту в двухканальном режиме.
При этом, система запустится и будет работать, но на более низкой частоте. Стоит отметить тот факт, что оперативная память, независимо от типа, в процессе своей работы поддерживает весь диапазон тактовых частот, расположенных ниже своей максимальной частоты.
Минимизация помех Задержка ATP позволяет транзистору стабилизировать свой выходной уровень перед активацией, что может снизить помехи, которые могут возникнуть из-за нестабильных сигналов на входе. Повышение надежности ATP также может помочь предотвратить случайное срабатывание транзистора из-за шумов или флуктуаций сигнала. Надежное и точное срабатывание может улучшить общую надежность и производительность системы. Улучшение временных характеристик Задержка ATP может улучшить временные характеристики транзистора, позволяя ему более эффективно управлять скоростью переключения и уменьшить возможное искажение сигнала. Улучшение энергоэффективности Использование транзистора с функцией ATP может помочь снизить потребление энергии, поскольку он позволяет более эффективное использование энергии в процессе переключения состояний.
В целом, использование транзистора с функцией ATP может улучшить стабильность, надежность и производительность электронных систем, а также помочь снизить энергопотребление. Это делает его привлекательным вариантом для различных приложений, где необходимо точное и надежное управление сигналами. То есть время, которое система выделяет для завершения операции активации строки в компоненте памяти и перевод ее в состояние предзарядки перед началом следующей операции. Настройка задержек APD играет важную роль в обеспечении стабильной работы системы. Неправильное или слишком короткое время задержки может вызвать ошибки в передаче данных и повредить компоненты системы, а слишком длинное время задержки может привести к низкой производительности и задержкам в работе системы. Правильно настроенная задержка APD позволяет достичь оптимальной производительности компонентов памяти DDR и увеличить общую производительность системы. Для настройки задержки APD требуется учитывать частоту и время работы операционной памяти, а также требования и характеристики конкретной системы.
Слишком высокое значение этого параметра немного снижает производительность, поскольку на закрытие ячейки тратится лишнее время. Чтобы увеличить производительность, попробуйте установить минимальное значение tRAS или же подберите его экспериментально. По имеющимся из разных источников сведениям, параметр tRAS на общую производительность памяти влияет не очень существенно, а оптимальный вариант зависит от типа чипсета.
Возможные значения — от 3 до 18 тактов. Они определяют требуемое время задержки. IT IT Command — установка задержки в один такт, иногда это позволяет увеличить скорость оперативной памяти.
Возможность нормальной работы памяти при таком значении сильно зависит от чипсета и модуля памяти и требует порой экспериментальной проверки. Не рекомендуется устанавливать 1Т при работе памяти на повышенных тактовых частотах или при одновременном использовании нескольких модулей памяти. Auto — задержка команд устанавливается в соответствии с данными SPD; 2.
Enabled — установлена задержка в 2 такта; 3. Disabled — установлена задержка в 1 такт. Дополнительные тайминги памяти Как уже отмечалось, в некоторых системных платах имеются расширенные возможности для настройки памяти и количество доступных таймингов может достигать десятка, а иногда и двух десятков.
Дополнительные тайминги оказывают меньшее влияние на производительность, чем рассмотренные выше основные тайминги, поэтому их в большинстве случаев следует оставить по умолчанию. Если же у вас есть время и желание экспериментировать, вы можете несколько повысить производительность системы памяти с их помощью. Кратко рассмотрим значение дополнительных таймингов.
Может устанавливаться в тактах или микросекундах. Важно: Неудачное изменение любого из таймингов памяти может привести к нестабильной работе компьютера, поэтому при первом же сбое следует установить тайминги по умолчанию. Bank Interleave Параметр задает режим чередования при обращении к банкам памяти.
В таком режиме регенерация одного банка выполняется в то же время, когда процессор работает с другим банком. Модули памяти объемом 64 Мбайт и более обычно состоят из четырех банков, и включение этого параметра ускоряет работу памяти. Auto — режим чередования настраивается автоматически; 2.
Disable — режим чередования отключен, что снизит пропускную способность памяти. Возможные значения — 4, 8. Они определяют длину пакета данных.
При 8 теоретически должна обеспечиваться большая производительность памяти, но практика показывает, что разница копеечная.
Как изменить напряжение питания оперативной памяти
Activate to precharge delay tras что это. На чтение 6 мин Опубликовано 05.09.2023 Обновлено 05.09.2023. Act to Precharge Delay - Active to Precharge (Tras) - RAS Pulse Width - DRAM RAS# Activate to Precharge Delay - DRAM Timing tRAS - DRAM tRAS Select - DRAM Tras Timing Value - Min RAS# Active Time - Precharge Delay. Пользователь Мя задал вопрос в категории Железо и получил на него 3 ответа. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти.
Обзор и тестирование оперативной памяти Kingston HyperX Fury DDR3L-1600 HX316LC10FB/4 x2
Поможет в этом утилита Thaiphoon Burner. Данная программа может работать с областью SPD модуля памяти, считывает все параметры и выводит подробный отчет. Здесь мы видим таблицу режимов таймингов, которые выставляются автоматически - это функция Plug and Play. Имеется и один профиль Intel XMP. Идентичную информацию нам показывает и утилита AIDA64.
Упаковка и комплектация Планки HyperX Fury DDR3L упакованы в пластиковые прозрачные блистеры, что дает возможность оценить внешний вид модулей памяти, и защитить их при транспортировке. Коробка заклеена бумажной гарантийной лентой, на которой имеется минимальная информация о характеристиках памяти. Внутри, кроме самих модулей, краткая инструкция в картинках по безопасной установке и наклейка с логотипом «Kingston HyperX». Внешний вид Стандартная планка оперативной памяти представляет из себя прямоугольник текстолита с контактами и распаянными модулями памяти.
Оригинальности планкам придают именно радиаторы, здесь дизайнерам есть над чем поработать.
Часто BIOS предлагает определенные установки для выбора оптимального значения tRAS в зависимости от характеристик оперативной памяти и требований пользователя. В заключение, Activate to Precharge Delay tRAS является важным параметром оперативной памяти, который определяет время задержки между активацией строки и предварительной разрядкой. Оптимальное значение tRAS способствует повышению производительности компьютера, улучшению скорости передачи данных и предотвращению возможных ошибок. Однако необходимо подобрать правильное значение tRAS, исходя из требований конкретной системы и характеристик оперативной памяти. Смотри также:.
Дальше я переключился на настройку вторичных таймингов, которые сегодня затрагивать не будем - это надо смотреть по таблице и подбирать значения, в общем, вот промежуточный результат: 100 А вот уже финальный, с тотальной настройкой всех таймингов: 100 Ну прямо бесплатная производительность! Почему так происходит? Рассматривать тайминги и частоту в отрыве друг от друга нельзя, так как то, что мы привыкли называть "частотой оперативной памяти" является частотой шины, собственно, на скринах выше это видно. Сами чипы имеют свою, скажем, производительность, которую они могут обеспечить, и при росте частоты шины в какой-то момент чипы просто перестанут за ней успевать. Проще объяснить аналогией: Представьте, что пропускная способность памяти - это пассажиропоток в маршрутке. Чем он выше - тем лучше. Частота - это скорость маршрутки - как быстро она проезжает от остановки к остановке; Тайминги - это скорость оплаты, скорость пассажиров, входящих в маршрутку, фиксированное время ее остановки, и все в таком духе. Если тайминги слишком низкие - маршрутка хоть и будет приезжать на остановку быстро, но не все пассажиры успеют зайти, кому-то может даже что-то оторвет закрывающейся дверью в случае с памятью - она просто начнет сыпать ошибками, так как не будет успевать за шиной , в то время как при низкой частоте скорости маршрутки , мы можем отчасти это скомпенсировать тем, что она будет меньше времени стоять на остановках, средняя скорость будет выше. Именно поэтому при росте частоты растут и задержки - чипы просто не успевают работать с такой скоростью, поэтому надо находить баланс между частотой и таймингами частота все же дает больший прирост ПСП. И хотя тайминги я ужал, мне все еще не дает покоя, что два слота на моей МП пустые. У меня же на этом все.
Если задержка слишком большая, это может привести к увеличению задержки доступа к данным и снижению общей производительности системы. Оптимальное значение этого параметра зависит от конкретной конфигурации памяти и может отличаться для разных систем. Обычно, чем выше тактовая частота памяти, тем большее значение tRAS может быть использовано для достижения максимальной производительности. Преимущества использования правильной задержки tRAS: 1. Улучшенная производительность чтения и записи данных в память. Меньшая вероятность ошибок доступа к данным. Более стабильная работа системы и повышенная надежность. Правильное настройка задержки tRAS является важным шагом в оптимизации работы оперативной памяти компьютера. Рекомендуется обратиться к документации к материнской плате или консультации производителя памяти для определения оптимального значения этого параметра для вашей системы. Принцип работы Активирование задержки предварительной подзарядки tras основано на принципе подготовки следующей задачи в очереди выполнения, чтобы ускорить ее обработку. При активации tras для задачи выполняется операция предварительной подготовки, например, загрузка данных из базы данных или чтение файла с диска.
Тайминги — качество
- Обзор и тестирование оперативной памяти Kingston HyperX Fury DDR3L-1600 HX316LC10FB/4 x2
- Определение и сущность режима задержек памяти
- Как изменить частоту оперативной памяти в БИОСе?
- Оперативная память: что это, из чего состоит, и характеристики ·
- Что такое «Activate to precharge delay» в трансформаторах и как его активировать?
Будет ли работать двухканальный режим ОЗУ при разных таймингах tRAS и производителях?
Row Precharge Delay (tRP) — ОЗУ — динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Активация памяти (activate) происходит, когда процессор отправляет команду для активации определенной строки памяти. Значение tRAS может быть установлено в BIOS системы и зависит от конкретной платы и модуля памяти.
Activate to precharge delay tras 36: что это значит?
Настраивая вручную, можно заставить память ускориться, однако далеко не каждый модуль при этом будет работать стабильно. В системных платах производства ASRock для ручной настройки памяти следует отключить параметр Flexibility Option. В зависимости от модели платы набор соотношений может несколько отличаться от приведенного выше; 3. Sync Mode — память работает синхронно с частотой FSB. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти мог сформировать для передачи содержимое запрошенной ячейки памяти. Ручная установка низких значений CAS Latency увеличивает скорость работы модуля, то есть разгоняет его. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти успел определить и активизировать требуемую строку. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти. Возможные значения — от 1 до 7 тактов.
При меньших значениях этого параметра память работает быстрее, но слишком низкие могут привести к нестабильной работе памяти. Возможные значения — от 3 до 18 тактов. Они определяют требуемое время задержки. Возможные значения: 1. IT IT Command — установка задержки в один такт, иногда это позволяет увеличить скорость оперативной памяти. Не рекомендуется устанавливать 1Т при работе памяти на повышенных тактовых частотах или при одновременном использовании нескольких модулей памяти. Auto — задержка команд устанавливается в соответствии с данными SPD; 2. Enabled — установлена задержка в 2 такта; 3.
Disabled — установлена задержка в 1 такт. Кратко рассмотрим значение дополнительных таймингов. Неудачное изменение любого из таймингов памяти может привести к нестабильной работе компьютера, поэтому при первом же сбое следует установить тайминги по умолчанию. Bank Interleave Параметр задает режим чередования при обращении к банкам памяти. В таком режиме регенерация одного банка выполняется в то же время, когда процессор работает с другим банком. Auto — режим чередования настраивается автоматически; 2. Disable — режим чередования отключен, что снизит пропускную способность памяти. Возможные значения — 4, 8.
Они определяют длину пакета данных. Как изменить частоту оперативной памяти в БИОСе? Разумеется, в большинстве случаев процедура ручной установки данного параметра оперативной памяти не требуется, поскольку BIOS автоматически подбирает необходимую частоту ОЗУ, исходя из номинальных значений модулей памяти. Однако может возникнуть такая ситуация, когда пользователю необходимо будет выставить значение частоты оперативной памяти, отличающееся от номинального. В этом пользователю могут помочь некоторые опции, доступные в BIOS. Для чего можно потребоваться ручная установка частоты ОЗУ? Данное действие может потребоваться, например, в рамках мероприятий по разгону оперативной памяти. Большая частота оперативной памяти обычно позволяет обеспечить ее повышенную производительность, что, в свою очередь, может положительно влиять и на производительность всего компьютера.
Однако следует помнить, что для того, чтобы добиться стабильной работы оперативной памяти, наряду с ее частотой может потребоваться одновременно настроить и другие параметры модулей ОЗУ, такие, как напряжение и тайминги. Параметры частоты оперативной памяти компьютера можно настроить лишь при помощи соответствующих опций BIOS. Нужно иметь в виду, однако, что далеко не все системные платы позволяют изменить данный параметр оперативной памяти. Если в вашем распоряжении оказался компьютер с подобной материнской платой, то вы не сможете выставить нужную вам частоту, а в качестве ее значения будет использоваться номинальная величина для модуля ОЗУ. Для этого необходимо, прежде всего, войти в BIOS. Это можно осуществить во время перезагрузки компьютера, нажав на клавиатуре в момент перезапуска клавишу Del или другую клавишу, в зависимости от версии BIOS. Подробнее о том, как войти в BIOS, мы рассказывали в соответствующей статье. Итак, вы вошли в BIOS.
Какую именно опцию и в каком разделе необходимо искать? Это тоже зависит от версии BIOS. Частоту памяти в БИОСе можно выставить двумя основными способами: при помощи прямого указания значения и при помощи указания соотношения между частотой системной шины и частотой шины памяти. В последнем случае в названии опции обычно встречается слово Ratio соотношение. Также помимо возможности выбора непосредственных значений в опции может присутствовать возможность выбора значения Auto By SPD. Это значение обычно установлено в опции по умолчанию. Установив необходимое значение частоты, вам будет необходимо перезагрузить компьютер, сохранив при этом сделанные в BIOS изменения. В некоторых случаях может потребоваться несколько попыток установки частоты оперативной памяти, которые необходимо повторять до тех пор, пока не будет найдено оптимальное значение, при котором работа ПК будет устойчивой.
В частности, в Windows 7 пользователь может использовать для проверки работы ОЗУ встроенную утилиту «Проверка памяти Windows», находящуюся в разделе «Администрирование» «Панели управления». Следует помнить, что не рекомендуется устанавливать значения частоты опции, намного превышающие номинальные значения для микросхем памяти, поскольку в этом случае возможен выход из строя модулей памяти. Кроме того, нужно иметь в виду, что повышение рабочей частоты может привести к повышению тепловыделения микросхем ОЗУ, что, в свою очередь, может повлечь за собой необходимость дополнительного охлаждения системного блока.
Такой способ позволяет уменьшить потребление энергии и продлить срок службы устройства. В режиме Standby монитор сохраняет текущую конфигурацию и настройки, чтобы после выхода из режима ожидания можно было быстро возобновить работу без необходимости вводить все данные заново. При активации технологии «Activate to precharge delay tras 36» монитор начинает подготовку к активному режиму работы.
В этом случае режим Standby является промежуточным состоянием, в котором монитор продолжает отслеживать сигналы и сохранять данные, но при этом уже готовится к полноценному включению. Этот процесс включает в себя задержку активации delay перед срабатыванием и предварительное зарядное устройство precharge. Delay, равный 36, означает, что монитор ожидает 36 тактовых импульсов перед активацией. В это время он проводит внутренние проверки и подготовку к работе. После задержки активации монитор переходит в полноценный активный режим работы и отображает изображение на экране. Весь процесс занимает всего некоторое количество времени и позволяет быстро включить монитор и начать использование.
Особенности Create 36 Процесс активации до задержки на предварительное зарядное устройство Activate to precharge delay tras 36 является важной особенностью электронных систем Create 36. Эта особенность позволяет эффективно управлять и контролировать процесс зарядки и разрядки аккумуляторной батареи. Активация до задержки на предварительное зарядное устройство Activate to precharge delay является временным интервалом между моментом включения системы Create 36 и моментом начала фактической зарядки или разрядки батареи.
Ей требуется 17 тактов для начала ответа на поступивший запрос CL. Активация нужной строки занимает 21 такт tRCD и столько же циклов уходит на ее закрытие и активацию следующей строки tRP. Причем сама строка может быть закрыта не раньше чем через 41 такт tRAS. Как вы видите, каждая цифра в названии оперативной памяти имеет свое значение.
CS , Chip Select - время, необходимое на выполнения команды, подаваемой сигналом CS для выбора нужного чипа памяти. Tac , DQ output access time from CK - время от фронта такта до выдачи данных модулем. Address and Command Setup Time Before Clock , время, на которое передача установок адресов команд будет предшествовать восходящему фронту такта. Address and Command Hold Time After Clock , время, на которое будут "заперты" установки адреса и команд после нисходящего фронта такта. Thp , CK half pulse width - длительность полупериода тактовой частоты CK. Max Async Latency - максимальное время асинхронной задержки. Параметр управляет длительностью асинхронной задержки, зависящей от времени, необходимого для передачи сигнала от контроллера памяти до самого дальнего модуля памяти и обратно. DRAM Read Latch Delay - задержка, устанавливающая время, необходимое для "запирания" однозначного распознавания конкретного устройства. Актуально при повышении нагрузки числа устройств на контроллер памяти. Trpre , Read preamble - время, в течение которого контроллер памяти откладывает активацию приёма данных перед чтением, во избежание повреждения данных. Trpst, Twpre, Twpst , Write preamble, read postamble, write postamble - то же для записи и после приёма данных. Bypass Max - определяет, сколько раз самая ранняя запись в DCQ может быть обойдена, прежде чем выбор арбитра будет аннулирован. При установке в 0 выбор арбитра всегда учитывается. Turn-Around Insertion - задержка между циклами. Время от подачи команды до активации банка. Обычно в память поступает сначала адрес, затем команда на чтение. Поскольку на расшифровку адреса уходит относительно много времени, можно применить упреждающий старт, подав адрес и команду подряд, без задержки, что повысит эффективность использования шины и снизит простои. Tfaw , Four Active Windows - минимальное время активности четырех окон активных строк. Применяется в восьмибанковых устройствах. Strobe Latency. Задержка при посылке строб-импульса селекторного импульса. Memory Refresh Rate. Частота обновления памяти. Также хотелось бы упомянуть о самом главном вопросе - вопросе об источниках. Именно от его качества и зависит то, насколько точным будет материал. Утверждением всех стандартов оперативной памяти занимается организация JEDEC, поэтому вопрос о компетентности снимается. Исключением являются последние материалы Intel, Dron "t , обладающие рядом неточностей и опечаток, которые использовались как вспомогательные. Использованные материалы: 1. Статья Dron"t Наконец мы подошли к самой главной части сегодняшнего обзора — разгону. Итак, первым делом давайте проверим, какую частоту покорит память при своем номинальном напряжении 1. Это очень хороший результат , учитывая, что напряжение на память установлено всего 1. На 6-6-6-18 разгон дал стабильные 1403 МГц. И на 8-8-8-24 частота составила 1835 МГц. В этом случае была принята обязательная мера - напряжение Uncore было поднято до 1. Смотрим на диаграмму: Ну что сказать, просто великолепный результат! Хотя подобного и следовало ожидать, так как чипы Micron очень хорошо отзываются на рост напряжения и могут довольно сильно прибавлять в разгоне. Подумайте только — 1516 МГц с таймингами 6-6-6-18 и всего при 1. Не часто такое увидишь. На 7-7-7-20 стабильная частота составила 1750 МГц по сравнению со своей номинальной частотой в 1333 МГц. А вот на 8-8-8-24 результат получился очень странный: по сравнению со своими 1835 МГц, которые были получены при 1. Немного забегая вперед, скажу, что и на 1. Все это казалось очень странно, и я был уверен, что проблема кроется не в памяти, а в чем-то другом. После небольшого анализа все-таки удалось найти причину, по которой происходила подобная ерунда. Виноват оказался процессор, и все упиралось в частоту UCLK, а точнее в какую-то одну из ее составляющих - L3 кэш или контроллер памяти. Мне не удалось точно выяснить что именно, но подозрения пали на L3 кэш, так как увеличение напряжения на память совершенно не увеличивало разгон это напряжение питает также и контроллер памяти в процессоре.