Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время.
TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
| В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти | Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. |
| IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack | Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. |
| Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ | Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. |
Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
Технология Hyper Cache позволяет использовать до 60 Гб от общего объема накопителя. Гарантийный срок 2 года с фактической даты поставки потребителю Срок службы Срок службы устройства прогнозируется с помощью количества записей на диск в день на основе нескольких факторов, связанных с использованием, таких как объем данных, записанных на диск, условия управления блоками и ежедневная рабочая нагрузка на диск.
Подробности о новинке прозвучали на полях мероприятия HotChips 33. Изображение взято с: pixabay. Он имеет увеличенный почти вдвое объем памяти, а также обеспечивает более высокие скорость и производительность. Последняя характеризуется сквозными соединениями между слоями, которое осуществляется в произвольной точке.
Samsung планирует применить преимущества TSV в узлах, выполненных по технологии 30-нм и других, более современных, процессах.
Новые продукты, использующие технологию 3D TSV, укрепят лидерство Samsung и его партнеров на рынке устройств хранения данных".
В процессе производства на мощностях завода в Калининградской области осуществляется утонение и резка кремниевых пластин диаметром до 300 мм, корпусирование кристаллов и тестирование готовой продукции по стандартам JEDEC.
На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране. На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Даже притом что чипы DDR5 имеют насчитывающую восемь слоев компоновку, высота микросхемы на выходе не превышает 1,0 мм, хотя у DDR4 это 1,2 мм. Особенность ее в том, что пока одни банки памяти заняты обновлением, другие способны выполнять иные операции. Потребительские модули DDR5 с большой долей вероятности получат меньшие объемы памяти. Развернуть массовый выпуск новых модулей на 512 ГБ в Samsung настроены до конца нынешнего года.
Один кристалл такой памяти содержит 256 Racetrack ячеек. В лаборатории IBM успешно протестировали возможности записи и чтения.
При этом ставилось требование достижения скорости ввода-вывода данных, сравнимой со скоростью современных DRAM. Почти все электронное оборудование сегодня производится с использованием цифровых схем, изготовленных по КМОП технологии. Именно поэтому IBM считает важным, чтобы ее первая схема Racetrack памяти могла интегрироваться в микросхемы, создаваемые по КМОП технологии на восьмидюймовых пластинах.
Но, отличия всё-таки есть. Стоит отметить, что это стандартные значения для модулей DDR5 первой волны. Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения.
Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации.
О том, когда эта память появится в продаже, точной информации пока нет.
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит.
Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
| Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5 | Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. |
| Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ | Железо | NEWS | Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. |
| NAND-память | При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. |
| Память нового поколения: какая она - Hi-Tech | Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. |
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
В CrystalDiskMark 7 данные выглядели так: Отметим, что это был прототип. То есть релизные версии памяти покажут ещё более впечатляющие результаты. При этом модули Intel Optane DC Persistent Memory на 256 ГБ стоят 2000 долларов почти 128,5 тысяч рублей , а за младший 128-гигабайтный модуль придется выложить 1860 долларов почти 119,5 тысяч рублей.
Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти.
В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти.
Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron.
Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм. В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления.
Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера.
Свою первую 64-Кбит память компания представила в 1983 году. За прошедшие 40 лет она увеличила ёмкость микросхем в невероятное количество раз, о чём в то время мало кто мог даже подумать. Вечерний 3DNews Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
В единственном модуле CAMM2 производителем может быть предусмотрена работа в двухканальном режиме. Однако это лишь опция, а не обязательная характеристика модуля такого типа. Тем не менее она имеет отличные шансы получить широкое распространение как основное решение для ноутбуков и прочих компактных устройств. Скорее всего, оба стандарта будут существовать параллельно на протяжении существенного отрезка времени. Причина — решение производителей о сокращении производства с целью создания искусственного дефицита.
В Samsung полагают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 годам. В июле стало известно , что компания ZTE готовит смартфон с рекордным объемом памяти. Аппарат должен выйти с оперативной памятью емкостью 20 гигабайт.
Первыми получателями новой памяти ожидаемо станут видеокарты GeForce 50хх серии. При этом релиз не оправдал ожиданий публики: во время разработки прототипов и утверждения стандарта речь шла о поддержке плотности чипа в 16 и 32 Гб, что давало надежду на то, что производители перестанут выпускать карты с объемом видеопамяти в 8 Гб, а новым стандартом станет как раз 16 и 32 Гб. Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти.
Технология обещает ускоренную передачу и чтение данных для электроники будущего и открывает новый путь применения перовскитовых полупроводников. Подпишитесь , чтобы быть в курсе. На самом базовом уровне цифровые данные хранятся в единицах и нулях, но могут быть представлены по-разному. Во флэш-памяти биты хранятся в виде электрического заряда в транзисторах, а в резистивной памяти с произвольным доступом RRAM данные хранятся в виде изменений в электрической проводимости. Что умеют программные роботы Специалисты из Тайваньского государственного педагогического университета и Университета Кюсю решили восполнить недостатки RRAM, скомбинировав ее с другой технологией, рассказывает New Atlas.
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ.
Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
| Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 | Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. |
| Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion | Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. |
| Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время | В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. |
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
Новые серийные модули Netac и Jiahe Jinwei будут иметь объем 32 ГБ на модуль с таймингами 40-40-40 и номинальным напряжением 1. Мы также получили первые фотографии, где можно видеть цепи питания модуля DDR5. И сразу видно существенное отличие от памяти DDR4, которая получала ток от чипсета материнской платы.
Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ.
Во флэш-памяти биты хранятся в виде электрического заряда в транзисторах, а в резистивной памяти с произвольным доступом RRAM данные хранятся в виде изменений в электрической проводимости. Что умеют программные роботы Специалисты из Тайваньского государственного педагогического университета и Университета Кюсю решили восполнить недостатки RRAM, скомбинировав ее с другой технологией, рассказывает New Atlas. В таком случае данные можно считывать по состоянию LED. Это дополнительное оптическое считывание также открывает новые пути передачи большого объема информации». Раньше эти гибридные устройства сочетали в себе две различных системы, что усложняло их производство.
Эти модули совместимы со стандартными планками DDR4. Любопытно, что над памятью располагается система активного охлаждения с двумя вентиляторами. Очевидно, новая память довольно сильно греется.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2.